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NXP Semiconductors
PESD5V0U1BLD
Ultra low capacitance bidirectional ESD protection diode
6. Characteristics
Table 8. Characteristics
T amb = 25 ? C unless otherwise specified.
Symbol Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
V RWM
reverse standoff
-
-
5
V
voltage
I RM
reverse leakage current V RWM = 5 V
-
5
100
nA
V BR
C d
breakdown voltage
diode capacitance
I R = 5 mA
f = 1 MHz; V R = 0 V
5.5
-
7
2.9
9.5
3.5
V
pF
r dyn
dynamic resistance
I R = 10 A
[1]
-
0.8
-
?
[1]
Non-repetitive current pulse, Transmission Line Pulse (TLP) t p = 100 ns; square pulse;
ANS/IESD STM5-1-2008.
3.0
C d
(pF)
2.6
2.2
006aab036
? V CL ? V BR ? V RWM
I PP
I R
I RM
? I RM
? I R
?
V RWM V BR V CL
+
1.8
0
1
2
3
4
5
? I PP
f = 1 MHz; T amb = 25 ? C
V R (V)
006aaa676
Fig 4.
Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values
Fig 5.
V-I characteristics for a bidirectional
ESD protection diode
PESD5V0U1BLD
Product data sheet
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Rev. 2 — 27 July 2011
? NXP B.V. 2011. All rights reserved.
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